當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月29日，美股存儲板塊繼續(xù)狂飆，截至發(fā)稿，希捷科技大漲17.2%，西部數(shù)據(jù)漲超12%，SanDisk漲超10%，美光科技漲近3%。
值得注意的是，近兩個月美股存儲板塊漲幅驚人。希捷科技累漲54.41%，西部數(shù)據(jù)累漲72.37%，美光科技累漲89.13%，SanDisk累漲283%。
消息面上，存儲產(chǎn)品價(jià)格近期呈現(xiàn)出驚人的上漲態(tài)勢。據(jù)中國藍(lán)新聞，在浙江杭州，內(nèi)存條近一個月價(jià)格翻了一番。有商戶表示，原來200多元的內(nèi)存條現(xiàn)在漲到400多元，原來1000多元的則漲到近2000元。
社交媒體上不少網(wǎng)友紛紛曬出自己所囤的內(nèi)存條，慶幸提前組裝了電腦，“真沒想到內(nèi)存條如今成了‘電子茅臺’，漲得比黃金還快。”
內(nèi)存價(jià)格暴漲
據(jù)界面新聞，TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第三季度，DRAM價(jià)格較去年同期大幅上漲171.8%。若以今日國際現(xiàn)貨黃金每盎司價(jià)格3998美元計(jì)算，較去年低位時(shí)的1890美元也只漲了115%。
從現(xiàn)貨市場數(shù)據(jù)來看，在10月13日至18日期間，DRAM方面，DDR5 16G、DDR4 16G均價(jià)相較上周分別上漲20.59%、11.11%，相較上月漲幅更是高達(dá)58.73%、43%。
DDR全稱為Double Data Rate（雙倍數(shù)據(jù)速率），是內(nèi)存條（即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，DRAM）的核心技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，也是衡量內(nèi)存性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。
存儲芯片具體可分為兩類：一是數(shù)據(jù)持久化存儲（如NAND閃存，斷電后數(shù)據(jù)不丟失），二是實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)暫存（如DRAM，需持續(xù)供電，讀寫速度快）；其中，基于DRAM技術(shù)的高端品類HBM（高帶寬內(nèi)存），可滿足AI計(jì)算、服務(wù)器等場景中“海量數(shù)據(jù)(15.490, -0.12, -0.77%)實(shí)時(shí)流轉(zhuǎn)”的需求。
AI驅(qū)動的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移引發(fā)產(chǎn)品供應(yīng)結(jié)構(gòu)性失衡，是此輪漲價(jià)的核心邏輯。
自2022年11月ChatGPT誕生引發(fā)生成式人工智能熱潮并推動全球競相建設(shè)人工智能數(shù)據(jù)中心以來，存儲芯片制造商就一直在將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM芯片的生產(chǎn)。
Yole Group預(yù)計(jì)，2025年，主要用于GPU生產(chǎn)的HBM產(chǎn)品的營收預(yù)計(jì)將接近翻倍，達(dá)到約340億美元；HBM市場將在2030年前保持33%的年復(fù)合增長率，屆時(shí)其營收將超過DRAM市場總營收的50%。
值得一提的是，HBM所消耗的晶圓容量是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的三倍多，像OpenAI等企業(yè)提出的每月90萬片晶圓訂單，相當(dāng)于消耗了當(dāng)前全球DRAM月產(chǎn)能的53%。
此外，長鑫存儲等中國公司在低端DRAM芯片上日益激烈的競爭，也促使控制全球DRAM芯片市場約70%份額的韓國三星和SK海力士加速向高端芯片轉(zhuǎn)型。這些廠商自2025年初起便陸續(xù)調(diào)整戰(zhàn)略，逐步減少乃至計(jì)劃在2025年底至2026年初完全停止DDR4內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)，將產(chǎn)能全面轉(zhuǎn)向利潤更高、技術(shù)更先進(jìn)的DDR5、HBM等產(chǎn)品。這直接擠壓了DDR4的產(chǎn)能空間，使得DDR4產(chǎn)量減少，市場上供不應(yīng)求。
為應(yīng)對漲價(jià)，早在年初就有不少經(jīng)銷商開始大量囤貨鎖價(jià)。在華強(qiáng)北等電子集散地，自二季度開始出現(xiàn)經(jīng)銷商大規(guī)模掃貨現(xiàn)象，導(dǎo)致民用市場的現(xiàn)貨流通量減少，進(jìn)一步加劇了價(jià)格上漲。
TrendForce集邦咨詢7月發(fā)布的報(bào)告顯示，由于三大廠轉(zhuǎn)移產(chǎn)能，并宣布個人電腦、服務(wù)器用DDR4及手機(jī)用LPDDR4X進(jìn)入產(chǎn)品生命周期末期，引發(fā)了市場對上一代產(chǎn)品積極備貨，再加上正值存儲行業(yè)旺季，現(xiàn)貨市場供不應(yīng)求。2025年第三季度DRAM合約價(jià)上漲10%至15%，第三季漲價(jià)幅度達(dá)到40%至45%。
存儲芯片廠商賺翻了
據(jù)財(cái)聯(lián)社，根據(jù)韓國KB證券研究主管Jeff Kim預(yù)計(jì)，若當(dāng)前漲勢持續(xù)，明年非HBM內(nèi)存芯片的盈利能力甚至可能將超越HBM。
據(jù)其估算，三星7—9月期間標(biāo)準(zhǔn)DRAM業(yè)務(wù)運(yùn)營利潤率約為40%，HBM業(yè)務(wù)則達(dá)60%。美光科技上月預(yù)測，2026年HBM與非HBM業(yè)務(wù)均將保持健康的利潤率。
另一方面，存儲芯片價(jià)格飆升可能給消費(fèi)電子和服務(wù)器制造商帶來額外成本壓力。這些企業(yè)本就因美國提高關(guān)稅和稀土短缺引發(fā)的潛在供應(yīng)鏈中斷而成本攀升。
部分企業(yè)正將成本壓力轉(zhuǎn)嫁給消費(fèi)者。例如英國個人電腦制造商Raspberry Pi本月早些時(shí)候就宣布漲價(jià)，稱內(nèi)存成本較一年前上漲約120%。其首席執(zhí)行官埃Eben Upton表示：“我們已到了必須分?jǐn)偛糠殖杀镜碾A段。”
此前小米發(fā)布紅米K90手機(jī)時(shí)，創(chuàng)始人雷軍便將不同版本間價(jià)差過大歸因于存儲成本上漲。而小米集團(tuán)合伙人、總裁盧偉冰則稱，“我們無法改變?nèi)蚬⿷?yīng)鏈的走勢，存儲成本上漲也遠(yuǎn)高于預(yù)期，且會持續(xù)加劇。”
全球第二大存儲模組廠威剛董事長陳立白稍早表示，當(dāng)前DRAM、NAND閃存、SSD和機(jī)械硬盤四大存儲類別全面缺貨漲價(jià)的局面，在其三十余年的行業(yè)生涯中前所未見。
他認(rèn)為第四季度才是存儲大多頭的真正起點(diǎn)和嚴(yán)重缺貨的開始，也是存儲嚴(yán)重缺貨的開始，并預(yù)言明年產(chǎn)業(yè)榮景可期。
